Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level (IEC 60749-28:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-28:2022
Kurzreferat
Dieser Teil der IEC 60749 legt das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Anfälligkeit (Empfindlichkeit) für Schäden oder Beeinträchtigungen durch eine definierte feldinduzierte elektrostatische Entladung (ESD) nach dem CDM-Modell (Charged Device Model) fest. Alle gehäusten Halbleiterbauelemente, Dünnschichtschaltungen, akustische Oberflächenwellen (SAW), optoelektronische Bauelemente, hybride integrierte Schaltungen (HIC) und Multi-Chip-Module (MCM), die eines dieser Bauelemente enthalten, sind nach diesem Dokument zu bewerten. Zur Durchführung der Prüfungen werden die Bauelemente zu einem Gehäuse zusammengebaut, das dem in der Endanwendung erwarteten ähnlich ist. Dieses CDM-Dokument gilt nicht für gesockelte Entladungsmodell-Tester. Dieses Dokument beschreibt die feldinduzierte (FI) Methode. Eine Alternative, das Direktkontaktverfahren (DC), wird in Anhang J beschrieben. Der Zweck dieses Dokuments ist es, eine Prüfmethode festzulegen, die CDM-Ausfälle reproduziert und zuverlässige, wiederholbare CDM-ESD-Prüfergebnisse von Prüfer zu Prüfer liefert, unabhängig vom Gerätetyp. Reproduzierbare Daten ermöglichen genaue Klassifizierungen und Vergleiche der CDM-ESD-Empfindlichkeitsstufen.
Beginn
2022-03-22
Geplante Dokumentnummer
DIN EN IEC 60749-28
Projektnummer
02230942
Zuständiges nationales Arbeitsgremium
DKE/K 631 - Halbleiterbauelemente
Ersatzvermerk
Vorgesehen als Ersatz für DIN EN 60749-28 (VDE 0884-749-28):2018-02
Norm-Entwurf
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Charged Device Model (CDM) - Device Level (IEC 60749-28:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-28:2022
2024-05
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