DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 3: Bewertungsmethode für spikeabhängige Plastizität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2941/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-3:2025
Kurzreferat
Dieser Teil von IEC 63550-3 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der spike-abhängigen Plastizität von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die in dieser internationalen Norm beschriebenen Prüfverfahren umfassen spike-zeitabhängige Plastizität (STDP, en: spike time dependent plasticity), indirekte STDP, spike-ratenabhängige Plastizität (SRDP, en: spike rate dependent plasticity) sowie deren Retentionseigenschaften. Dieses Dokument kann anwendbar für neuromorphe Memristor-Bauelemente ohne Einschränkungen in Bezug auf Bauelementetechnologie und -größe sein.
Beginn
2025-07-23
Geplante Dokumentnummer
DIN EN IEC 63550-3
Projektnummer
02233312
Zuständiges nationales Arbeitsgremium
DKE/K 631 - Halbleiterbauelemente
Norm-Entwurf
Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 3: Bewertungsmethode für spikeabhängige Plastizität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2941/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-3:2025
2026-05
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