DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN IEC 63550-3
; VDE 0884-3550-3:2026-05
Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 3: Bewertungsmethode für spikeabhängige Plastizität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2941/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-3:2025
Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 3: Evaluation method of spike dependent plasticity in memristor devices (IEC 47/2941/CDV:2025); German and English version prEN IEC 63550-3:2025
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 63550-3 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der spike-abhängigen Plastizität von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die in dieser Internationalen Norm beschriebenen Prüfverfahren umfassen spike-zeitabhängige Plastizität (STDP, englisch: spike time dependent plasticity), indirekte STDP, spike-ratenabhängige Plastizität (SRDP, englisch: spike rate dependent plasticity) sowie deren Retentionseigenschaften. Dieses Dokument kann anwendbar für neuromorphe Memristor-Bauelemente ohne Einschränkungen in Bezug auf Bauelementetechnologie und -größe sein. Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich des Dokuments. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
