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Norm [AKTUELL]

DIN EN 62373

Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
Ausgabe 2007-01

Norm [AKTUELL]

DIN EN 62417

Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
Ausgabe 2010-12

Technische Regel [AKTUELL]

EIA JEP 187

Guidelines for Representing Switching Losses of SIC Mosfets in Datasheets
Ausgabe 2021-12

Technische Regel [AKTUELL]

EIA JEP 192

Guidelines for Gate Charge (QG) Test Method for SiC MOSFET
Ausgabe 2022-12

Technische Regel [AKTUELL]

EIA JEP 183A

Guidelines for Measuring the Threshold Voltage (VT) of SiC MOSFETs
Ausgabe 2023-01

Norm [AKTUELL]

OEVE/OENORM EN 62373

Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)
Ausgabe 2007-03-01

Norm [AKTUELL]

EIA JESD 24

Power MOSFET's
Ausgabe 1985

Technische Regel [AKTUELL]

EIA JEP 115

Power MOSFET Electrical Dose Rate Test Method
Ausgabe 1989-08

Norm [AKTUELL]

EIA JESD 90

A Procedure for Measuring P-Channel MOSFET Negative Bias Temperature Instabilities
Ausgabe 2004-11

Norm [AKTUELL]

EIA JESD 24-11

Power MOSFET Equivalent Series Gate Resistance Test Method
Ausgabe 1996-08

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