Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Dichtheit (IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003); Deutsche Fassung EN 60749-8:2003
Ausgabe 2003-12

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Selbstentzündung) (IEC 60749-31:2002 + Corr. 1:2003); Deutsche Fassung EN 60749-31:2003
Ausgabe 2003-12

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) (IEC 60749-32:2002 + Cor. :2003 + A1:2010); Deutsche Fassung EN 60749-32:2003 + Cor. :2003 + A1:2010
Ausgabe 2011-01

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Kontaktfestigkeit (Bond-Strength) (IEC 60749-22:2002 + Corr. 1:2003); Deutsche Fassung EN 60749-22:2003
Ausgabe 2003-12

Rahmenspezifikation - Rechteckige Steckverbinder für Frequenzen unter 3 MHz; Deutsche Fassung EN 175300:1996
Ausgabe 1996-11

Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
Ausgabe 2010-12

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Zyklische Temperaturwechsel (IEC 60749-25:2003); Deutsche Fassung EN 60749-25:2003
Ausgabe 2004-04

Mikrobereichsanalyse - Ausgewählte instrumentelle Performanceparameter zur Spezifizierung und Überprüfung engergiedispersiver Röntgenspektrometer (EDS) für die Anwendung mit einem Rasterelektronenmikroskop (REM) oder einem Elektronenstrahlmikroanalysator (ESMA) (ISO 15632:2021)
Ausgabe 2022-09

Formelzeichen; Formelzeichen für Stromrichter mit Halbleiterbauelementen
Ausgabe 1994-02

Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten (IEC 62374:2007); Deutsche Fassung EN 62374:2007
Ausgabe 2008-02