Projekt
Thermische Standardisierung bei Halbleitergehäusen - Teil 3: Thermische Simulationsmodelle von Halbleitergehäusen für die transiente Analyse
Kurzreferat
Dieser Teil von IEC 63378 spezifiziert das thermische Schaltungsnetzwerkmodell von diskreten (TO-243, TO-252 und TO-263) Gehäusen, das in der Transientenanalyse von elektronischen Geräten verwendet wird, um präzise Sperrschichttemperaturen ohne experimentelle Überprüfung zu schätzen. Es wird davon ausgegangen, dass dieses Modell von Halbleiterlieferanten erstellt und bereitgestellt und von Herstellern elektronischer Geräte verwendet wird.
Beginn
2025-04-23
Geplante Dokumentnummer
DIN EN IEC 63378-3
Projektnummer
02233061
