Kurzreferat

Dieser Teil von IEC 63378 spezifiziert das thermische Schaltungsnetzwerkmodell von diskreten (TO-243, TO-252 und TO-263) Gehäusen, das in der Transientenanalyse von elektronischen Geräten verwendet wird, um präzise Sperrschichttemperaturen ohne experimentelle Überprüfung zu schätzen. Es wird davon ausgegangen, dass dieses Modell von Halbleiterlieferanten erstellt und bereitgestellt und von Herstellern elektronischer Geräte verwendet wird.

Beginn

2025-04-23

Geplante Dokumentnummer

DIN EN IEC 63378-3

Projektnummer

02233061

Zuständiges nationales Arbeitsgremium

DKE/UK 631.4 - Gehäuse für Halbleiterbauelemente  

Norm-Entwurf

Thermische Standardisierung von Halbleitergehäusen - Teil 3: Thermische Schaltungssimulationsmodelle von diskreten Halbleitergehäusen für die Transientenanalyse (IEC 63378-3:2025); Deutsche Fassung EN IEC 63378-3:2025
2026-08
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