DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN IEC 62276
Einkristall-Wafer für Oberflächenwellen-(OFW-)Bauelemente - Festlegungen und Messverfahren (IEC 62276:2025); Deutsche Fassung EN IEC 62276:2025
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods (IEC 62276:2025); German version EN IEC 62276:2025
Einführungsbeitrag
Diese Dokument gilt für die Herstellung von Einkristall-Wafern aus synthetischen Quarzkristallen, Lithiumniobat(LN)-, Lithiumtantalat(LT)-, Lithiumtetraborat(LBO)-Kristallen und Lanthanum-Gallium-Silikat (LGS), die für die Verwendung als Substrate bei der Herstellung von Oberflächenwellen-(OFW-)Filtern und Resonatoren vorgesehen sind. Diese Dokument gilt für die Herstellung von Einkristall-Wafern aus synthetischen Quarzkristallen, Lithiumniobat(LN)-, Lithiumtantalat(LT)-, Lithiumtetraborat(LBO)-Kristallen und Lanthanum-Gallium-Silikat (LGS), die für die Verwendung als Substrate bei der Herstellung von Oberflächenwellen-(OFW-)Filtern und Resonatoren vorgesehen sind. Gegenüber DIN EN 62276:2017-08 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Die Begriffe, die technischen Anforderungen, die Häufigkeit der Probenahme, die Prüfverfahren und die Messung von Transmissionsgrad, Helligkeit und Farbunterschied für LN und LT wurden hinzugefügt, um den Anforderungen der industriellen Entwicklung gerecht zu werden; b) Der Begriff „Einschluss“ (in 4.13 und 6.10 erwähnt) und deren Definition wurden hinzugefügt, da der Begriff in Abschnitt 3 bisher nicht definiert worden war; c) Die Spezifikation von LTV und PLTV sowie die entsprechende Beschreibung der Häufigkeit der Probenahme für LN und LT wurden hinzugefügt, da sie die wichtigsten Betriebsverhaltensparameter für die Wafer sind; d) Die Grenzabweichung der Curie-Temperatur-Spezifikation für LN und LT wurde hinzugefügt, um den Entwicklungsanforderungen der Industrie gerecht zu werden; e) Die Messungen von Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV wurden vervollständigt, einschließlich des Messprinzips und des Messverfahrens für Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN EN 62276:2017-08 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Die Begriffe, die technischen Anforderungen, die Häufigkeit der Probenahme, die Prüfverfahren und die Messung von Transmissionsgrad, Helligkeit und Farbunterschied für LN und LT wurden hinzugefügt, um den Anforderungen der industriellen Entwicklung gerecht zu werden. b) Der Begriff „Einschluss“ (in 4.13 und 6.10 erwähnt) und deren Definition wurden hinzugefügt, da der Begriff in Abschnitt 3 bisher nicht definiert worden war. c) Die Spezifikation von LTV und PLTV sowie die entsprechende Beschreibung der Häufigkeit der Probenahme für LN und LT wurden hinzugefügt, da sie die wichtigsten Betriebsverhaltensparameter für die Wafer sind. d) Die Grenzabweichung der Curie-Temperatur-Spezifikation für LN und LT wurde hinzugefügt, um den Entwicklungsanforderungen der Industrie gerecht zu werden. e) Die Messungen von Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV wurden vervollständigt, einschließlich des Messprinzips und des Messverfahrens für Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV.
Zuständiges nationales Arbeitsgremium
DKE/K 642 - Piezoelektrische Bauteile zur Frequenzstabilisierung und -selektion
