NA 022

DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE

DIN EN 60749-23 [AKTUELL] zitiert folgende Dokumente:

Dokumentnummer Ausgabe Titel
IEC 60747-5-2 AMD 1 2002-03 Einzel-Halbeleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente; Wesentliche Grenz- und Kennwerte; Änderung 1 Mehr 
IEC 60747-5-2 Edition 1.1 2009-11 Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente - Wesentliche Grenz- und Kennwerte Mehr 
IEC 60747-5-3 1997-08 Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - Meßverfahren Mehr 
IEC 60747-5-3 AMD 1 2002-03 Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente; Messverfahren; Änderung 1 Mehr 
IEC 60747-5-3 Edition 1.1 2009-11 Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - Messverfahren Mehr 
IEC 60747-6-3 ; QC 750113:1993-11 1993-11 Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für rückwärtssperrende Thyristortrioden, umgebungs- und gehäusebezogen, für Ströme über 100 A Mehr 
IEC 60747-7 2010-12 Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolartransistoren Mehr 
IEC 60747-8 2010-12 Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren Mehr 
IEC 60747-8-2 ; QC 750106:1993-02 1993-02 Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 8: Feldeffekt-Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Feldeffekt-Transistoren für gehäusebezogene Leistungs-Verstärkeranwendung Mehr 
IEC 60747-8-3 ; QC 750114:1995-04 1995-04 Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren - Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene Feldeffekttransistoren für Schaltanwendungen Mehr