NA 022

DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE

Projekt

Thermische Standardisierung bei Halbleitergehäusen - Teil 3: Thermische Simulationsmodelle von Halbleitergehäusen für die transiente Analyse

Kurzreferat

Dieser Teil von IEC 63378 spezifiziert das thermische Schaltungsnetzwerkmodell von diskreten (TO-243, TO-252 und TO-263) Gehäusen, das in der Transientenanalyse von elektronischen Geräten verwendet wird, um präzise Sperrschichttemperaturen ohne experimentelle Überprüfung zu schätzen. Es wird davon ausgegangen, dass dieses Modell von Halbleiterlieferanten erstellt und bereitgestellt und von Herstellern elektronischer Geräte verwendet wird.

Beginn

2025-04-23

Geplante Dokumentnummer

DIN EN IEC 63378-3

Projektnummer

02233061

Zuständiges nationales Arbeitsgremium

DKE/UK 631.4 - Gehäuse für Halbleiterbauelemente  

Ihr Kontakt

Claus Westenberger

Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

Tel.: +49 69 6308-153

Zum Kontaktformular