DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN IEC 63378-3
Thermische Standardisierung von Halbleitergehäusen - Teil 3: Thermische Schaltungssimulationsmodelle von diskreten Halbleitergehäusen für die Transientenanalyse (IEC 63378-3:2025); Deutsche Fassung EN IEC 63378-3:2025
Thermal standardization on semiconductor packages - Part 3: Thermal circuit simulation models of discrete semiconductor packages for transient analysis (IEC 63378-3:2025); German version EN IEC 63378-3:2025
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 63378 legt das thermische Schaltungsnetzwerkmodell von diskreten (TO-243-, TO-252- und TO-263-) Gehäusen fest, das bei der Transientenanalyse von elektronischen Bauelementen verwendet wird, um Sperrschichttemperaturen ohne experimentelle Verifizierung genau zu schätzen. Es ist vorgesehen, dass dieses Modell von Halbleiterlieferanten erstellt und bereitgestellt wird und von den Personen verwendet werden muss, die Baugruppen aus elektronischen Bauelementen herstellen. Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich des Dokuments. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
