DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN IEC 63550-4
; VDE 0884-3550-4:2026-05
Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 4: Bewertungsmethode für Asymmetrien in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2940/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-4:2025
Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 4: Evaluation method of asymmetry in memristor devices (IEC 47/2940/CDV:2025); German and English version prEN IEC 63550-4:2025
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 63550-4 legt den Schwerpunkt auf die Beurteilung von Asymmetrieeigenschaften, die eine entscheidende Rolle bei der Handhabung von Memristoren mit unausgewogenem Schaltverhalten bei neuromorphen Vorgängen spielen und neben Beurteilungen der Linearität auch andere Charakterisierungsmethoden erfordern. Die Asymmetrie-Prüfverfahren in diesem DokumentDokument ist auf alle neuromorphen Memristor-Bauelemente mit zwei Anschlüssen anwendbar, unabhängig von dem zugrunde liegenden Mechanismus. Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich des Dokuments. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
