Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Kurzreferat
In diesem Teil der IEC 60749 ist sowohl das I-Prüfverfahren als auch das Überspannungs-Prüfverfahren bezüglich der Latch-up-Beanspruchung integrierter Schaltungen festgelegt. Dieses Prüfverfahren ist als zerstörend zu betrachten. Der Zweck dieses Prüfverfahrens ist es, ein Verfahren zum Ermitteln der Latch-up-Kenngrößen für integrierte Schaltungen (IC, en: integrated circuits) festzulegen und auch Latch-up-Fehlerkritierien zu definieren. Latch-up-Kenngrößen werden sowohl zur Bestimmung der Produktzuverlässigkeit als auch der Minimierung von NTF- und EOS-Fehlern (NTF, en: no trouble found; EOS, en: electrical overstress) infolge von Latch-up-Vor¬gängen verwendet. Dieses Prüfverfahren ist primär anwendbar bei CMOS-Bauelementen. Die Anwendbarkeit für andere Tech-nologien ist gesondert festzulegen. Die Klassifikation der Latch-up-Beanspruchung als eine Funktion der Temperatur ist in 2.1 und die Fehler- sowie Ausfallkriterien (Prüfgrade) sind in 2.10 festgelegt.
Beginn
2025-11-13
Geplante Dokumentnummer
DIN EN IEC 60749-29
Projektnummer
02233502
