NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN 61175 [ZURÜCKGEZOGEN] zitiert folgende Dokumente:
| Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
|---|---|---|
| IEC 60747-6 | 1983 | Halbleiterbauelemente - Diskrete Bauelemente und integrierte Schaltkreise; Teil 6: Thyristoren Mehr |
| IEC 60747-6-1 ; QC 750110:1989-04 | 1989-04 | Halbleiterbauelemente; Einzelhalbleiterbauelemente; Teil 6: Thyristoren; Abschnitt 1: Vordruck für Bauartspezifikationen für rückwärts sperrende Thyristortrioden, umgebungs- und gehäusebezogen bis 100 A Mehr |
| IEC 60747-6-2 ; QC 750111:1991-05 | 1991-05 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Zweirichtungs-Thyristortrioden (TRIAC's), umgebungs- und gehäusebezogen bis 100 A Mehr |
| IEC 60747-6-3 ; QC 750113:1993-11 | 1993-11 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für rückwärtssperrende Thyristortrioden, umgebungs- und gehäusebezogen, für Ströme über 100 A Mehr |
| IEC 60747-7 | 1988 | Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen; Teil 7: Bipolare Transistoren Mehr |
| IEC 60747-7-1 ; QC 750102:1989-03 | 1989-03 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 1: Vordruck für Bauartspezifikationen für umgebungsbezogene bipolare Transistoren für NF- und HF-Verstärkungen Mehr |
| IEC 60747-7-2 ; QC 750103:1989-01 | 1989-01 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene bipolare Transistoren für NF-Verstärkungen Mehr |
| IEC 60747-7-3 ; QC 750104:1991-07 | 1991-07 | Halbleiterbauelemente; diskrete Bauelemente; Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikation für bipolare Transistoren zum Umschalten Mehr |
| IEC 60747-7-4 ; QC 750107:1991-07 | 1991-07 | Halbleiterbauelemente; diskrete Bauelemente; Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 4: Vordruck für Bauartspezifikation für gehäusebezogene bipolare Transistoren zur HF-Verstärkung Mehr |
| IEC 60747-8 | 1984 | Halbleiterbauelemente - Diskrete Bauelemente und integrierte Schaltkreise; Teil 8: Feldeffekt-Transistoren Mehr |
