NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN 62747 [ZURÜCKGEZOGEN] zitiert folgende Dokumente:
| Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
|---|---|---|
| IEC 60747-5-3 | 1997-08 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - Meßverfahren Mehr |
| IEC 60747-6-3 ; QC 750113:1993-11 | 1993-11 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für rückwärtssperrende Thyristortrioden, umgebungs- und gehäusebezogen, für Ströme über 100 A Mehr |
| IEC 60747-7 | 2010-12 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolartransistoren Mehr |
| IEC 60747-8 | 2010-12 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren Mehr |
| IEC 60747-8-2 ; QC 750106:1993-02 | 1993-02 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 8: Feldeffekt-Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Feldeffekt-Transistoren für gehäusebezogene Leistungs-Verstärkeranwendung Mehr |
| IEC 60747-8-3 ; QC 750114:1995-04 | 1995-04 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren - Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene Feldeffekttransistoren für Schaltanwendungen Mehr |
| IEC 62751-1 | 2014-08 | Bestimmung der Leistungsverluste in Spannungszwischenkreis-Stromrichtern (VSC) für Hochspannungsgleichstrom(HGÜ)-Systeme - Teil 1: Allgemeine Anforderungen Mehr |
| IEC 62751-2 | 2014-08 | Bestimmung der Leistungsverluste in Spannungszwischenkreis-Stromrichtern (VSC) für Hochspannungsgleichstrom(HGÜ)-Systeme - Teil 2: Modulare Mehrstufen-Stromrichter Mehr |
