NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN 60749-23 [AKTUELL] zitiert folgende Dokumente:
| Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
|---|---|---|
| IEC 60747-5-2 Edition 1.1 | 2009-11 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente - Wesentliche Grenz- und Kennwerte Mehr |
| IEC 60747-5-3 | 1997-08 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - Meßverfahren Mehr |
| IEC 60747-5-3 AMD 1 | 2002-03 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente; Messverfahren; Änderung 1 Mehr |
| IEC 60747-5-3 Edition 1.1 | 2009-11 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - Messverfahren Mehr |
| IEC 60747-5-4 | 2006-02 | Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente - Halbleiterlaser Mehr |
| IEC 60747-5-5 | 2007-09 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente - Optokoppler Mehr |
| IEC 60747-6 | 2000-12 | Halbleiterbauelemente - Teil 6: Thyristoren Mehr |
| IEC 60747-6-3 ; QC 750113:1993-11 | 1993-11 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für rückwärtssperrende Thyristortrioden, umgebungs- und gehäusebezogen, für Ströme über 100 A Mehr |
| IEC 60747-7 | 2010-12 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolartransistoren Mehr |
| IEC 60747-8 | 2010-12 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren Mehr |
