DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
IEC 60747-9
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Einführungsbeitrag
Seit September 2007 liegt die von der IEC/SC 47E/WG 3 erarbeitete zweite Ausgabe der Norm IEC 60747-9 zu den in der modernen Leistungselektronik und Umrichter-Technologie bedeutenden bipolaren Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) in englischer und französischer Sprache vor. Sie ersetzt die erste Ausgabe aus dem Jahr 1998 einschließlich deren Änderung AMD 1 von 2001. Die Gliederung der zweiten Ausgabe der Norm in Abschnitte folgt im Wesentlichen den anderen Normen aus der Reihe IEC 60747, wobei deren allgemeiner Teil 1 die Basis bildet.
Folgende Änderungen wurden gegenüber der ersten Ausgabe vorgenommen:
- Im Abschnitt 3 wurde eine Vielzahl wichtiger Begriffe neu festgelegt bzw. ergänzt, wie z. B. das graphische Symbol.
- Die Übereinstimung mit dem Internationalen Elektrotechnischen Wörterbuch (IEV 521) wurde hergestellt.
- In den Abschnitten 4 und 5 erfolgte eine für die Anwendung der IGBTs notwendige Bereinigung und teilweise Ergänzung von Kurzzeichen, Bemessungs- und Kennwerten.
- Aus der Änderung AMD 1 flossen die Abschnitte 6 und 7 zu Mess- und Prüfverfahren vollständig in den neuen Abschnitt 6 ein, unter Berücksichtigung erforderlicher Korrekturen und Ergänzungen.
- Der Abschnitt 8 aus der Änderung AMD 1 mit den Vorgaben für Annahmeverfahren und für die Zuverlässigkeit wurde in die zweite Ausgabe als Abschnitt 7 aufgenommen.
Die Veröffentlichung einer deutschen Übersetzung der zweiten Ausgabe der Norm IEC 60747-9 als DIN-IEC-Norm ist nicht vorgesehen.
Das Spiegelgremium zum IEC/SC 47E "Einzel-Halbleiterbauelemente" ist das gleichnamige DKE/UK 631.1.
