DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
IEC 60747-4
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
Einführungsbeitrag
Die IEC hat die von der IEC/SC 47E/WG 2 vollständig überarbeitete und sehr umfangreiche zweite Ausgabe, 2007, der Norm IEC 60747-4 zu den in der Kommunikationstechnologie bedeutenden Halbleiter-Mikrowellenbauelementen herausgegeben. Die Norm ist in englischer und französischer Sprache als Teil 4 in der 16 Teile umfassenden Normenreihe über "Halbleiterbauelemente" integriert und ersetzt damit die erste Ausgabe, 1991, einschließlich der späteren Änderungen AMD 1, 2 und 3.
Die bisherige Aufteilung der Norm in Kapitel mit römischen Ziffern entfällt, stattdessen sind die Vorgaben zu den einzelnen Kategorien der spezifischen Halbleiterbauelemente in Abschnitten (clauses) zu finden in Übereinstimmung mit der IEC Directive, Part 2. Damit wird die Zitierbarkeit erleichtert. Neu hinzugefügt bzw. ergänzt wurden die Abschnitte 7 und 8 zu den Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren in Mikrowellen-Anwendungen. In der Reihenfolge der Abschnitte 3 bis 8 werden folgende Bauelemente behandelt:
- Kapazitäts-, Abreiß- und Schottky-Dioden
- Mischdioden in Radar- und Informationstechnikanwendungen sowie Detektordioden
- IMPATT-Dioden
- Gunn-Dioden
- Bipolar-Transistoren
- Feldeffekt-Transistoren.
Daran schließt sich ein Kapitel über spezielle Anforderungen zu Gütebestätigungs- und Zuverlässigkeitsprüfungen an.
Das Spiegelgremium zum IEC/SC 47E ist das UK 631.1 der DKE.
Die IEC-Norm wird nicht in das Deutsche Normenwerk übernommen werden.
