DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN IEC 63550-2
; VDE 0884-3550-2:2026-05
Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 2: Bewertungsmethode für die Linearität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2942/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-2:2025
Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 2: Evaluation method of linearity in memristor devices (IEC 47/2942/CDV:2025); German and English version prEN IEC 63550-2:2025
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 63550-2 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der Linearität von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die in diesem Dokument beschriebenen Prüfverfahren umfassen Langzeitpotenzierung (LTP, englisch: long term potentiation), Langzeitdepression (LTD, englisch: long term depression), Dauerhaltbarkeit und Retention von LTD/LTP sowie Linearität. Dieses Dokument ist anwendbar auf neuromorphe Memristor-Bauelemente mit zwei Anschlüssen, ohne Einschränkungen in Bezug auf die Technologie und Größe der Bauelemente. Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich des Dokuments. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
