Projekt
Halbleiterbauelemente - Bias-Temperaturstabilitätsprüfung für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET)
Kurzreferat
In dieser Internationalen Norm ist ein Verfahren festgelegt, um die Temperatur-Spannungs-Stabilität von MOSFET (en: metal-oxide semiconductor field-effect transistor) zu prüfen (BT-Test; en: bias-temperature test).
Beginn
2026-03-06
Geplante Dokumentnummer
DIN EN IEC 62373
Projektnummer
02233757
