Projekt
Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 6: Methode zur Bewertung der grundlegenden Eigenschaften in „One Transistor One Memristor“-Arrays (1T1M)
Kurzreferat
Dieser Teil der IEC 63550-6 legt die Prüfverfahren zur Bewertung der grundlegenden Berechnungseigenschaften von „One Transistor One Memristor“-Arrays (1T1M) fest. Die Prüfverfahren in dieser internationalen Norm umfassen paralleles Lesen, paralleles Schreiben sowie die Bewertung von Schreibfehlern und Restfehlern.
Beginn
2026-04-14
Geplante Dokumentnummer
DIN EN IEC 63550-6
Projektnummer
02233799
