DIN 51456
Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Oberflächenanalyse von Silicium-Halbleiterscheiben (Wafer) durch Multielementbestimmung in wässrigen Analysenlösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
Testing of materials for semiconductor technology - Surface analysis of silicon wafers by multielement determination in aqueous analysis solutions using mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)
Einführungsbeitrag
Dieses Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung der Massenanteile der Elemente Al (Aluminium), As (Arsen), Ba (Barium), Be (Beryllium), Ca (Calcium), Cd (Cadmium), Co (Kobalt), Cr (Chrom), Cu (Kupfer), Fe (Eisen), In (Indium), K (Kalium), Li (Lithium), Mg (Magnesium), Mn (Mangan), Mo (Molybdän), Na (Natrium), Ni (Nickel), Pb (Blei), Sb (Antimon), Sr (Strontium), Ti (Titan), V (Vanadium), Zn (Zink) und Zr (Zirconium) im Spurenbereich auf einer Siliciumscheiben-Oberfläche fest, wobei als Bestimmungsverfahren die Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS) eingesetzt wird.
Das Verfahren gilt für Elementspuren-Massenanteile von 10 ng/kg bis 10 000 ng/kg in der Scanlösung.
Dieses Dokument gilt nur für Siliciumscheiben, die eine durch Fluorwasserstoff zersetzbare Schicht auf ihrer Oberfläche aufweisen.
Dieses Dokument wurde vom Arbeitsausschuss NA 062-02-21 AA "Prüfung von Prozesschemikalien für die Halbleitertechnologie" im Normenausschuss Materialprüfung (NMP) im DIN erarbeitet.
Dokument: zitiert andere Dokumente
Zuständiges nationales Arbeitsgremium
NA 062-10-103 AA - Prüfung von Prozessmaterialien für die Halbleitertechnologie
